韩国《首尔经济日报》援引未具名业内人士消息报道，三星电子正在与英伟达合作，加速开发下一代NAND闪存芯片。

三星半导体研究院、英伟达和佐治亚州理工学院的联合研究团队开发出一种“物理信息神经算子”模型，该模型能够以超过现有模型1万倍的速度，分析铁电基NAND器件的性能。此外，他们还公布了相关研究成果。

基于这些研究成果，三星正与英伟达合作，推动铁电NAND闪存的开发与商业化进程。

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